半導體在各行業上的應用

半導體行業應用案例

1. 功率半導體

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）

電壓規格：600V/1000~3000V

MOSFET（Metal-Oxide Silicon Field-Effect Transmitter）

電壓規格：12~300V

高功率大功率開關電源PAT-T系列1000V、1500V機型可對應功率半導體的高電壓大電流化。隨著太陽光面板的高電壓化以及電動汽車的普及，充電器馬達以及各種逆變器所使用的半導體也漸漸向高電壓、大電流化發展。

使用目的

· 產業機器

· 空調逆變器

· 光伏發電逆變器

· 電動汽車（EV）逆變器 etc...

測試內容

· 信賴性評估

· 產品檢查、良否判定

· C-V測試

· I-V測試

· 高壓破壞、放電測試

· 半導體接點溫度特性評估

· Electromigration

IGBT的Tf（fall time）測試案例

Vce=600V、Ic=30A

Tf為Ic=27A（90%）~3A（10%）的時間

采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ進行測試。

Power MOSFET測試案例

Power MOSFET的使用電流至幾百A，自身的發熱是十分重要的參數。施加100us的脈沖對發熱的影響進行測試。測試系統上采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ。

PID測試

薄型寬量程可變開關型電源PWX系列可進行高速通信（LAN），從而可以實現功率半導體評估測試中的PID測試。

重點：對半導體進行老化測試。測定車載半導體的溫度，并用時序創作軟件重現其溫度特性進行老化測試。通過控制半導體的電流來實現實車半導體的溫度變化，要求直流電源可以進行外部的高速控制。由此菊水的直流電源PWX系列可滿足此要求。

半導體接點溫度特性評估

重點：由于溫度上升速度快，需要高速的外部控制（如LAN接口）。

過渡熱測試

重點：半導體的過渡熱測試是通過大電流高速上升測試半導體內部的溫度變化。使幾百A~千幾百A的電流在幾ms內上升。如果使用PAT-T系列單體，在幾ms之內可到達。如果使用與PLZ-5W系列并用，上升速度將更快。

2. IC

GaAsIC：Galium Arsenide Integrated Circuit

MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit

LSI：Large Scale Integration

使用目的

· 手機

· 通信機器半導體元器件

· 無線LAN

· PC

· GPS etc

測試內容

· 電流脈沖

· 電源過電壓法

· 電壓脈沖

· ESD脈沖（Electro-Static Discharge）

電源過電壓法

重點：

· DC電源需要低紋波、線性電源較多被采用

· 電子負載裝置需要滿足高速響應

電壓脈沖法

重點：PBZ由于低紋波并且可以輸出高速、高頻率波形，因此被廣泛采用。

薄型寬量程可變開關型電源

PWX系列

· 采用高度為1U的薄型、輕量設計，提高了機柜裝配效率

· 輸出范圍大，能夠組合電壓/電流設定的功率型產品（3倍）

· 配備功率因數改善電路：0.99（100V輸入時）、0.97（200V輸入時）

*TYP值

· 標準配備LAN、USB、RS232C通訊接口

· 單控并聯運行功能（相同機型Max4臺）

· 簡單串聯運行（相同機型2臺）

*PWX750HF、PWX1500H除外

本文來源于KIKUSUI菊水

產品詳情FPWX系列機架安裝直流電源

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